Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах - Балицкий, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe получена структура многокомпонентного состава с присутствием незначительной части металлического кадмия.