Buchumschlag

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe получена структура многокомпонентного состава с присутствием незначительной части металлического кадмия....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2005
ISSN:	2225-5818
1. Verfasser:	Балицкий, А.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Schlagworte:	Материалы электроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53557
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах / А.А. Балицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.— 2005.— № 2.— С. 59-61.— Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
von: Balitskii, О. A.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
von: Слободянюк, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
von: Мостовой, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Термоэлектрические свойства сплавов системы TlInTe₂-TlYbTe₂
von: Зарбалиев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами
von: Колбасов, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Nanostructured GaAs- and CdSe-electrodes for photoelectrodes for photoelectrochemical converters
von: Slobodyanyuk, I. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
von: V. P. Makhniy, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
von: Makhniy, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Defects with deep donor and acceptor levels in nanocrystals of CdTe and CdSe
von: Babentsov, V.N.
Veröffentlicht: (2006)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
von: Марьянчук, П.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Условия использования стеклообразных халькогенидных сплавов в дозиметрии высокоэнергетичных γ-квантов
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Наноструктурированные GaAs- и CdSe-электроды для фотоэлектрохимических преобразователей
von: Слободянюк, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
von: Трубаєва, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃
von: Алиева, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Вплив температури на оптичні властивості тонких плівок Cu₂ZnSnSe₄
von: Майструк, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Metastable interstitials in CdSe and CdS crystals
von: Borkovska, L.V., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном
von: Алиева, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
von: Трубаева, O.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
von: Готра, З.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Temperature dependences of the heat capacity of sphalerite crystals of CdS, CdSe, CdTe cadmium chalcogenides
von: D. M. Freik, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения
von: Алиева, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
von: Krukovskiy, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)