Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
Установлено существование оптимального значения теплопроводности, при котором достигается наиболее равномерное распределение модуля температурного градиента на фронте кристаллизации....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53564 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 5-7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862747461259362304 |
|---|---|
| author | Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. |
| author_facet | Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. |
| citation_txt | Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 5-7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Установлено существование оптимального значения теплопроводности, при котором достигается наиболее равномерное распределение модуля температурного градиента на фронте кристаллизации.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:50:41Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53564 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:50:41Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. 2014-01-22T23:08:44Z 2014-01-22T23:08:44Z 2005 Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 5-7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53564 Установлено существование оптимального значения теплопроводности, при котором достигается наиболее равномерное распределение модуля температурного градиента на фронте кристаллизации. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании Температурне поле у кристалі ітрій-алюміієвого гранату при двостадійному вирощуванні Temperature field in Y₃Al₅O₁₂:Nd garnet crystal at two-phase growth Article published earlier |
| spellingShingle | Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Материалы для микроэлектроники |
| title | Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании |
| title_alt | Температурне поле у кристалі ітрій-алюміієвого гранату при двостадійному вирощуванні Temperature field in Y₃Al₅O₁₂:Nd garnet crystal at two-phase growth |
| title_full | Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании |
| title_fullStr | Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании |
| title_full_unstemmed | Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании |
| title_short | Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании |
| title_sort | температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53564 |
| work_keys_str_mv | AT kovtungp temperaturnoepolevkristalleittriialûminievogogranatapridvuhstadiinomvyraŝivanii AT kravčenkoai temperaturnoepolevkristalleittriialûminievogogranatapridvuhstadiinomvyraŝivanii AT kondrikai temperaturnoepolevkristalleittriialûminievogogranatapridvuhstadiinomvyraŝivanii AT kovtungp temperaturnepoleukristalíítríialûmííêvogogranatupridvostadíinomuviroŝuvanní AT kravčenkoai temperaturnepoleukristalíítríialûmííêvogogranatupridvostadíinomuviroŝuvanní AT kondrikai temperaturnepoleukristalíítríialûmííêvogogranatupridvostadíinomuviroŝuvanní AT kovtungp temperaturefieldiny3al5o12ndgarnetcrystalattwophasegrowth AT kravčenkoai temperaturefieldiny3al5o12ndgarnetcrystalattwophasegrowth AT kondrikai temperaturefieldiny3al5o12ndgarnetcrystalattwophasegrowth |