Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2005
• Main Authors: Ковтун, Г.П., Кравченко, А.И., Кондрик, А.И.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
• Subjects: Материалы для микроэлектроники
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53564
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 5-7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Установлено существование оптимального значения теплопроводности, при котором достигается наиболее равномерное распределение модуля температурного градиента на фронте кристаллизации....