Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
Рассмотрено влияние термообработки (ТО) на вольт-амперные и спектрометрические характеристики детекторов γ-излучения из соединения Cd₀,₉Zn₀,₁Te p-типа. Определен оптимальный режим ТО....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| Hauptverfasser: | Кутний, В.Е., Кутний, Д.В., Рыбка, А.В., Абызов, А.С., Давыдов, Л.Н., Наконечный, Д.В., Шляхов, И.Н. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53566 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения / В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, А.С. Абызов, Л.Н. Давыдов, Д.В. Наконечный, И.Н. Шляхов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 12-15. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
von: Боднарук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Боднарук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Газостатическая обработка структур Au-CdZnTe-Au для детекторов рентгеновского и гамма-излучения
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Разработка дозиметрических и спектрометрических блоков регистрации γ-излучения на основе полупроводниковых соединений CdTe (CdZnTe) для АЭС Украины
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Дозиметрические характеристики детекторов рентгеновского и гамма-излучения на основе (CdZnTe)
von: Рыбка, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Рыбка, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Разработка дозиметрических и спектрометрических блоков регистрации гамма-излучения на основе полупроводниковых соединений CdTe (CdZnTe) для АЭС Украины
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001)
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Исследование радиационной стойкости детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe и CdZnTe
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
von: Леонов, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Леонов, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Приборы на основе CdTe и CdZnTe для технологического контроля и мониторинга радиационной обстановки на АЭС
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
von: Брайко, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Брайко, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
von: Осадчук, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Осадчук, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений
von: Ницович, Б.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ницович, Б.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Анизотропный термоэлектрический компаратор
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Двухспектральный фотоприемник
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Устройства на основе фотонных кристаллов
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2004)
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2004)
Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
von: Попович, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Попович, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Применение полупроводниковых детекторов для учета и контроля РАО
von: Давыдов, Л.Н., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Давыдов, Л.Н., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Перспективы использования полупроводниковых материалов из CdTe (CdZnTe) при реконструкции АЭС Украины
von: Грибанов, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Грибанов, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
von: Skrypnyk, A. I.
Veröffentlicht: (2015)
von: Skrypnyk, A. I.
Veröffentlicht: (2015)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
von: Скрыпник, А.И.
Veröffentlicht: (2015)
von: Скрыпник, А.И.
Veröffentlicht: (2015)
Методика измерения электромагнитного излучения полупроводниковыми детекторами
von: Кутний, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Кутний, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
von: Колежук, К.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Колежук, К.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Получение самонесущих поликристаллических алмазных пленок для детекторов ионизирующего излучения
von: Березняк, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Березняк, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Герметизированные модули кремниевых детекторов ионизирующего излучения
von: Васильев, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Васильев, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2012)
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2012)
Анализ характеристик электроохладителей для ОЧГ-детекторов гамма-излучения
von: Соколов, А.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Соколов, А.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Ähnliche Einträge
-
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
von: Боднарук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Газостатическая обработка структур Au-CdZnTe-Au для детекторов рентгеновского и гамма-излучения
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Разработка дозиметрических и спектрометрических блоков регистрации γ-излучения на основе полупроводниковых соединений CdTe (CdZnTe) для АЭС Украины
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)