Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2005
• Автори: Кутний, В.Е., Кутний, Д.В., Рыбка, А.В., Абызов, А.С., Давыдов, Л.Н., Наконечный, Д.В., Шляхов, И.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
• Теми: Функциональная микроэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53566
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения / В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, А.С. Абызов, Л.Н. Давыдов, Д.В. Наконечный, И.Н. Шляхов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 12-15. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Рассмотрено влияние термообработки (ТО) на вольт-амперные и спектрометрические характеристики детекторов γ-излучения из соединения Cd₀,₉Zn₀,₁Te p-типа. Определен оптимальный режим ТО....