Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2005
• Hauptverfasser: Кутний, В.Е., Кутний, Д.В., Рыбка, А.В., Абызов, А.С., Давыдов, Л.Н., Наконечный, Д.В., Шляхов, И.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
• Schlagworte: Функциональная микроэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53566
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения / В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, А.С. Абызов, Л.Н. Давыдов, Д.В. Наконечный, И.Н. Шляхов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 12-15. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Рассмотрено влияние термообработки (ТО) на вольт-амперные и спектрометрические характеристики детекторов γ-излучения из соединения Cd₀,₉Zn₀,₁Te p-типа. Определен оптимальный режим ТО....