Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2005
• Автори: Ющук, С.И., Юрьев, С.А., Костюк, П.С., Бондар, В.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
• Теми: Функциональная микроэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53569
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике / С.И. Ющук, С.А. Юрьев, П.С. Костюк, В.И. Бондар // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 22-25. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.

На основе выращенных пленок железоиттриевого граната разработаны СВЧ полосно-пропускающие фильтры, линии задержки для использования в СВЧ-электронике.