Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
На основе выращенных пленок железоиттриевого граната разработаны СВЧ полосно-пропускающие фильтры, линии задержки для использования в СВЧ-электронике.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | Ющук, С.И., Юрьев, С.А., Костюк, П.С., Бондар, В.И. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53569 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике / С.И. Ющук, С.А. Юрьев, П.С. Костюк, В.И. Бондар // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 22-25. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
за авторством: Yushchuk, S. I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Yushchuk, S. I., та інші
Опубліковано: (2005)
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
за авторством: Попович, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Попович, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений
за авторством: Ницович, Б.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ницович, Б.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Микрочиповые лазеры
за авторством: Матковский, А.О., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Матковский, А.О., та інші
Опубліковано: (2002)
СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Иващук, А.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Иващук, А.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
за авторством: Болгов, С.С.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Болгов, С.С.
Опубліковано: (2001)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2004)
Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
за авторством: Брайко, Г.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Брайко, Г.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
за авторством: Осадчук, В.С., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Осадчук, В.С., та інші
Опубліковано: (2004)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
Анизотропный термоэлектрический компаратор
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Двухспектральный фотоприемник
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Устройства на основе фотонных кристаллов
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2004)
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
за авторством: Емцев, П.А.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Емцев, П.А.
Опубліковано: (2003)
Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
за авторством: Демёхин, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Демёхин, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
за авторством: Ижнин, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ижнин, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
Применение самовосстанавливающихся элементов для электрической защиты солнечных батарей
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2018)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2005)
Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998)
Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)
Теоретические аспекты оптимизации металлических токосъемных контактов солнечных элементов
за авторством: Горский, П.В., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Горский, П.В., та інші
Опубліковано: (2001)
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
за авторством: Yushchuk, S. I., та інші
Опубліковано: (2005) -
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004) -
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002) -
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
за авторством: Попович, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001) -
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)