Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
Описана разработанная установка и методика электрохимического профилирования многослойных эпитаксиальных структур n-GaAs.
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53574 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs / Н.М. Вакив, И.Р. Завербный, Д.М. Заячук, С.И. Круковский, И.О. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 40-45. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |