Войцеховский, А., Несмелов, С., & Н.А, К. (2005). Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Войцеховский, А.В, С.Н Несмелов, та Кульчицкий Н.А. "Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2005.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Войцеховский, А.В, et al. "Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.