Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53606 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862720622251999232 |
|---|---|
| author | Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. |
| author_facet | Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. |
| citation_txt | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:26:19Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53606 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:26:19Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. 2014-01-25T11:07:42Z 2014-01-25T11:07:42Z 2005 Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53606 Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ Ємнісні властивості МДН-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ The capacitance properties of MIS-structures HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ Article published earlier |
| spellingShingle | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_alt | Ємнісні властивості МДН-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ The capacitance properties of MIS-structures HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_full | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_fullStr | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_full_unstemmed | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_short | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_sort | емкостные свойства мдп-структур hgcdte/sio₂/si₃n₄ |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53606 |
| work_keys_str_mv | AT voicehovskiiav emkostnyesvoistvamdpstrukturhgcdtesio2si3n4 AT nesmelovsn emkostnyesvoistvamdpstrukturhgcdtesio2si3n4 AT kulʹčickiina emkostnyesvoistvamdpstrukturhgcdtesio2si3n4 AT voicehovskiiav êmnísnívlastivostímdnstrukturhgcdtesio2si3n4 AT nesmelovsn êmnísnívlastivostímdnstrukturhgcdtesio2si3n4 AT kulʹčickiina êmnísnívlastivostímdnstrukturhgcdtesio2si3n4 AT voicehovskiiav thecapacitancepropertiesofmisstructureshgcdtesio2si3n4 AT nesmelovsn thecapacitancepropertiesofmisstructureshgcdtesio2si3n4 AT kulʹčickiina thecapacitancepropertiesofmisstructureshgcdtesio2si3n4 |