Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53606 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53606 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. 2014-01-25T11:07:42Z 2014-01-25T11:07:42Z 2005 Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53606 Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ Ємнісні властивості МДН-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ The capacitance properties of MIS-structures HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| spellingShingle |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_full |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_fullStr |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_full_unstemmed |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_sort |
емкостные свойства мдп-структур hgcdte/sio₂/si₃n₄ |
| author |
Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. |
| author_facet |
Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2005 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Ємнісні властивості МДН-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ The capacitance properties of MIS-structures HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| description |
Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53606 |
| citation_txt |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT voicehovskiiav emkostnyesvoistvamdpstrukturhgcdtesio2si3n4 AT nesmelovsn emkostnyesvoistvamdpstrukturhgcdtesio2si3n4 AT kulʹčickiina emkostnyesvoistvamdpstrukturhgcdtesio2si3n4 AT voicehovskiiav êmnísnívlastivostímdnstrukturhgcdtesio2si3n4 AT nesmelovsn êmnísnívlastivostímdnstrukturhgcdtesio2si3n4 AT kulʹčickiina êmnísnívlastivostímdnstrukturhgcdtesio2si3n4 AT voicehovskiiav thecapacitancepropertiesofmisstructureshgcdtesio2si3n4 AT nesmelovsn thecapacitancepropertiesofmisstructureshgcdtesio2si3n4 AT kulʹčickiina thecapacitancepropertiesofmisstructureshgcdtesio2si3n4 |
| first_indexed |
2025-12-07T18:26:19Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:26:19Z |
| _version_ |
1850875030460694528 |