Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
Получены перспективные для детектирования оптических сигналов двухбарьерные структуры и поверхностно-барьерные структуры с модифицированными охранными высокоомными слоями с перекрытием металла....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Authors: | Ёдгорова, Д.М., Якубов, Э.Н. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53607 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi / Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 39-42. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
by: Басанец, В.В., et al.
Published: (2015)
by: Басанец, В.В., et al.
Published: (2015)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2007)
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2007)
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2011)
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2011)
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)
Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2006)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2006)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
by: I. B. Sapaev
Published: (2013)
by: I. B. Sapaev
Published: (2013)
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures
by: Sapaev, I.B.
Published: (2013)
by: Sapaev, I.B.
Published: (2013)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
by: Ковальчук, В.А., et al.
Published: (2011)
by: Ковальчук, В.А., et al.
Published: (2011)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
by: Добровольский, Ю.Г.
Published: (2006)
by: Добровольский, Ю.Г.
Published: (2006)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2011)
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2011)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
by: Краснов, В.А., et al.
Published: (2008)
by: Краснов, В.А., et al.
Published: (2008)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
by: Тонкошкур, А.С., et al.
Published: (2014)
by: Тонкошкур, А.С., et al.
Published: (2014)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2006)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2006)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015)
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015)
Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2007)
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2007)
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2002)
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2002)
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
by: Ижнин, И.И., et al.
Published: (2005)
by: Ижнин, И.И., et al.
Published: (2005)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2010)
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2010)
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2008)
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2008)
Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2005)
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2005)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2012)
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2012)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
by: Сидор, О.Н., et al.
Published: (2012)
by: Сидор, О.Н., et al.
Published: (2012)
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
by: Глауберман, М.А., et al.
Published: (2013)
by: Глауберман, М.А., et al.
Published: (2013)
Similar Items
-
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008) -
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
by: Басанец, В.В., et al.
Published: (2015) -
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005) -
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012) -
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2007)