Зображення обкладинки

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi

Получены перспективные для детектирования оптических сигналов двухбарьерные структуры и поверхностно-барьерные структуры с модифицированными охранными высокоомными слоями с перекрытием металла....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2005
Автори:	Ёдгорова, Д.М., Якубов, Э.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Теми:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53607
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi / Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 39-42. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Басанец, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2007)

Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2011)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2006)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)

The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures
за авторством: Sapaev, I.B.
Опубліковано: (2013)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
за авторством: Ковальчук, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2006)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Краснов, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
за авторством: Кушниренко, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
за авторством: Ижнин, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
за авторством: Кушниренко, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2012)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
за авторством: Глауберман, М.А., та інші
Опубліковано: (2013)