Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2005
• Main Authors: Ануфриев, Л.П., Баранов, В.В., Соловьев, Я.А., Тарасиков, М.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
• Subjects: Технологические процессы и оборудование
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53610
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки / Л.П. Ануфриев, В.В. Баранов, Я.А. Соловьев, М.В. Тарасиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 55-56. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Термическое испарение палладия в высоком вакууме позволяет получать слои Pd₂Si непосредственно в процессе напыления без последующей термообработки.