Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
Термическое испарение палладия в высоком вакууме позволяет получать слои Pd₂Si непосредственно в процессе напыления без последующей термообработки.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53610 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки / Л.П. Ануфриев, В.В. Баранов, Я.А. Соловьев, М.В. Тарасиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 55-56. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862646905988710400 |
|---|---|
| author | Ануфриев, Л.П. Баранов, В.В. Соловьев, Я.А. Тарасиков, М.В. |
| author_facet | Ануфриев, Л.П. Баранов, В.В. Соловьев, Я.А. Тарасиков, М.В. |
| citation_txt | Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки / Л.П. Ануфриев, В.В. Баранов, Я.А. Соловьев, М.В. Тарасиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 55-56. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Термическое испарение палладия в высоком вакууме позволяет получать слои Pd₂Si непосредственно в процессе напыления без последующей термообработки.
|
| first_indexed | 2025-12-01T11:48:09Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53610 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T11:48:09Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ануфриев, Л.П. Баранов, В.В. Соловьев, Я.А. Тарасиков, М.В. 2014-01-25T11:18:37Z 2014-01-25T11:18:37Z 2005 Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки / Л.П. Ануфриев, В.В. Баранов, Я.А. Соловьев, М.В. Тарасиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 55-56. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53610 Термическое испарение палладия в высоком вакууме позволяет получать слои Pd₂Si непосредственно в процессе напыления без последующей термообработки. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки Технологія отримання плівок силіциду паладію для потужних діодів Шоткі Palladium silicide films technology for power Schottky diodes Article published earlier |
| spellingShingle | Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки Ануфриев, Л.П. Баранов, В.В. Соловьев, Я.А. Тарасиков, М.В. Технологические процессы и оборудование |
| title | Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки |
| title_alt | Технологія отримання плівок силіциду паладію для потужних діодів Шоткі Palladium silicide films technology for power Schottky diodes |
| title_full | Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки |
| title_fullStr | Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки |
| title_full_unstemmed | Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки |
| title_short | Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки |
| title_sort | технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов шоттки |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53610 |
| work_keys_str_mv | AT anufrievlp tehnologiâpolučeniâplenoksilicidapalladiâdlâmoŝnyhdiodovšottki AT baranovvv tehnologiâpolučeniâplenoksilicidapalladiâdlâmoŝnyhdiodovšottki AT solovʹevâa tehnologiâpolučeniâplenoksilicidapalladiâdlâmoŝnyhdiodovšottki AT tarasikovmv tehnologiâpolučeniâplenoksilicidapalladiâdlâmoŝnyhdiodovšottki AT anufrievlp tehnologíâotrimannâplívoksilícidupaladíûdlâpotužnihdíodívšotkí AT baranovvv tehnologíâotrimannâplívoksilícidupaladíûdlâpotužnihdíodívšotkí AT solovʹevâa tehnologíâotrimannâplívoksilícidupaladíûdlâpotužnihdíodívšotkí AT tarasikovmv tehnologíâotrimannâplívoksilícidupaladíûdlâpotužnihdíodívšotkí AT anufrievlp palladiumsilicidefilmstechnologyforpowerschottkydiodes AT baranovvv palladiumsilicidefilmstechnologyforpowerschottkydiodes AT solovʹevâa palladiumsilicidefilmstechnologyforpowerschottkydiodes AT tarasikovmv palladiumsilicidefilmstechnologyforpowerschottkydiodes |