Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2005
• Автори: Ануфриев, Л.П., Баранов, В.В., Соловьев, Я.А., Тарасиков, М.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
• Теми: Технологические процессы и оборудование
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53610
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки / Л.П. Ануфриев, В.В. Баранов, Я.А. Соловьев, М.В. Тарасиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 55-56. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Термическое испарение палладия в высоком вакууме позволяет получать слои Pd₂Si непосредственно в процессе напыления без последующей термообработки.