Способ электродугового восстановления кремния
Путем изготовления электродов состава SiO₂:Zn и их плавления получены кристаллы кремния со степенью чистоты 99,993 мас. %.
Gespeichert in:
| Datum: | 2005 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53612 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Способ электродугового восстановления кремния / О.В. Соловьев, Б.П. Масенко, И.А. Хлопенова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 60-61. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Путем изготовления электродов состава SiO₂:Zn и их плавления получены кристаллы кремния со степенью чистоты 99,993 мас. %. |
|---|