Способ электродугового восстановления кремния
Путем изготовления электродов состава SiO₂:Zn и их плавления получены кристаллы кремния со степенью чистоты 99,993 мас. %.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53612 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Способ электродугового восстановления кремния / О.В. Соловьев, Б.П. Масенко, И.А. Хлопенова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 60-61. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862631488774733824 |
|---|---|
| author | Соловьев, О.В. Масенко, Б.П. Хлопенова, И.А. |
| author_facet | Соловьев, О.В. Масенко, Б.П. Хлопенова, И.А. |
| citation_txt | Способ электродугового восстановления кремния / О.В. Соловьев, Б.П. Масенко, И.А. Хлопенова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 60-61. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Путем изготовления электродов состава SiO₂:Zn и их плавления получены кристаллы кремния со степенью чистоты 99,993 мас. %.
|
| first_indexed | 2025-11-30T11:23:47Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53612 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T11:23:47Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Соловьев, О.В. Масенко, Б.П. Хлопенова, И.А. 2014-01-25T11:24:00Z 2014-01-25T11:24:00Z 2005 Способ электродугового восстановления кремния / О.В. Соловьев, Б.П. Масенко, И.А. Хлопенова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 60-61. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53612 Путем изготовления электродов состава SiO₂:Zn и их плавления получены кристаллы кремния со степенью чистоты 99,993 мас. %. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Способ электродугового восстановления кремния Спосіб електродугового відновлення кремнію Method of electric arc reduction of silicon Article published earlier |
| spellingShingle | Способ электродугового восстановления кремния Соловьев, О.В. Масенко, Б.П. Хлопенова, И.А. Материалы электроники |
| title | Способ электродугового восстановления кремния |
| title_alt | Спосіб електродугового відновлення кремнію Method of electric arc reduction of silicon |
| title_full | Способ электродугового восстановления кремния |
| title_fullStr | Способ электродугового восстановления кремния |
| title_full_unstemmed | Способ электродугового восстановления кремния |
| title_short | Способ электродугового восстановления кремния |
| title_sort | способ электродугового восстановления кремния |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53612 |
| work_keys_str_mv | AT solovʹevov sposobélektrodugovogovosstanovleniâkremniâ AT masenkobp sposobélektrodugovogovosstanovleniâkremniâ AT hlopenovaia sposobélektrodugovogovosstanovleniâkremniâ AT solovʹevov sposíbelektrodugovogovídnovlennâkremníû AT masenkobp sposíbelektrodugovogovídnovlennâkremníû AT hlopenovaia sposíbelektrodugovogovídnovlennâkremníû AT solovʹevov methodofelectricarcreductionofsilicon AT masenkobp methodofelectricarcreductionofsilicon AT hlopenovaia methodofelectricarcreductionofsilicon |