Buchumschlag

Способ электродугового восстановления кремния

Путем изготовления электродов состава SiO₂:Zn и их плавления получены кристаллы кремния со степенью чистоты 99,993 мас. %.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2005
Hauptverfasser:	Соловьев, О.В., Масенко, Б.П., Хлопенова, И.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Schlagworte:	Материалы электроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53612
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Способ электродугового восстановления кремния / О.В. Соловьев, Б.П. Масенко, И.А. Хлопенова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 60-61. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Способ электродугового восстановления кремния
von: Solovyov, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Рубцевич, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Получение и свойства пористого карбида кремния
von: Светличная, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния
von: Жавжаров, Е.Л., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Яцунский, И.Р.
Veröffentlicht: (2013)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Ректификационная очистка трихлорида мышьяка от примеси кислорода
von: Мазницкая, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
von: Казаков, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Диэлектрическая релаксация Гавриляки-Негами
von: Новиков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

3D-нанокомпозиты — опаловые матрицы с включениями металлического Со и слоистые структуры «опаловая матрица — Co/Ir»
von: Самойлович, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 1. Математические модели кинетики
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Условия использования стеклообразных халькогенидных сплавов в дозиметрии высокоэнергетичных γ-квантов
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Синтез ферромагнитных оксидов — наполнителей радиоматериалов
von: Демьянчук, Б.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Нанокомпозиты на основе опаловых матриц с 3D-структурой, образованной магнитными наночастицами
von: Ринкевич, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
von: Кавецкий, Т.С., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Зависимость свойств толстопленочных терморезисторов от состава базовой шпинели
von: Гадзаман, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
von: Мостовой, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок
von: Стерхова, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
von: Катрунов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)