Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
Результаты могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53627 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53627 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. 2014-01-25T12:42:53Z 2014-01-25T12:42:53Z 2005 Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53627 Результаты могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами Визначення характеристик двобар'єрних фотодіодних структур з металнапівпровідниковими переходами Definition of characteristic of two-barrier photodiode structures with meta1-semiconduction transition Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| spellingShingle |
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| title_full |
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| title_fullStr |
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| title_full_unstemmed |
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| title_sort |
определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| author |
Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. |
| author_facet |
Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2005 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Визначення характеристик двобар'єрних фотодіодних структур з металнапівпровідниковими переходами Definition of characteristic of two-barrier photodiode structures with meta1-semiconduction transition |
| description |
Результаты могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53627 |
| citation_txt |
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT edgorovadm opredelenieharakteristikdvuhbarʹernyhfotodiodnyhstruktursmetallopoluprovodnikovymiperehodami AT karimovav opredelenieharakteristikdvuhbarʹernyhfotodiodnyhstruktursmetallopoluprovodnikovymiperehodami AT edgorovadm viznačennâharakteristikdvobarêrnihfotodíodnihstrukturzmetalnapívprovídnikovimiperehodami AT karimovav viznačennâharakteristikdvobarêrnihfotodíodnihstrukturzmetalnapívprovídnikovimiperehodami AT edgorovadm definitionofcharacteristicoftwobarrierphotodiodestructureswithmeta1semiconductiontransition AT karimovav definitionofcharacteristicoftwobarrierphotodiodestructureswithmeta1semiconductiontransition |
| first_indexed |
2025-12-07T18:24:06Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:24:06Z |
| _version_ |
1850874890750525440 |