Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
Результаты могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53627 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862720187500855296 |
|---|---|
| author | Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. |
| author_facet | Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. |
| citation_txt | Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Результаты могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:24:06Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53627 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:24:06Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. 2014-01-25T12:42:53Z 2014-01-25T12:42:53Z 2005 Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53627 Результаты могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами Визначення характеристик двобар'єрних фотодіодних структур з металнапівпровідниковими переходами Definition of characteristic of two-barrier photodiode structures with meta1-semiconduction transition Article published earlier |
| spellingShingle | Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| title_alt | Визначення характеристик двобар'єрних фотодіодних структур з металнапівпровідниковими переходами Definition of characteristic of two-barrier photodiode structures with meta1-semiconduction transition |
| title_full | Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| title_fullStr | Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| title_full_unstemmed | Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| title_short | Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| title_sort | определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53627 |
| work_keys_str_mv | AT edgorovadm opredelenieharakteristikdvuhbarʹernyhfotodiodnyhstruktursmetallopoluprovodnikovymiperehodami AT karimovav opredelenieharakteristikdvuhbarʹernyhfotodiodnyhstruktursmetallopoluprovodnikovymiperehodami AT edgorovadm viznačennâharakteristikdvobarêrnihfotodíodnihstrukturzmetalnapívprovídnikovimiperehodami AT karimovav viznačennâharakteristikdvobarêrnihfotodíodnihstrukturzmetalnapívprovídnikovimiperehodami AT edgorovadm definitionofcharacteristicoftwobarrierphotodiodestructureswithmeta1semiconductiontransition AT karimovav definitionofcharacteristicoftwobarrierphotodiodestructureswithmeta1semiconductiontransition |