Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
Результаты могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Authors: | Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53627 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2005)
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2005)
Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2006)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2006)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2006)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2006)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015)
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2010)
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2010)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2012)
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2012)
Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
by: Тонкошкур, А.С., et al.
Published: (2014)
by: Тонкошкур, А.С., et al.
Published: (2014)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
by: Ижнин, И.И., et al.
Published: (2005)
by: Ижнин, И.И., et al.
Published: (2005)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
by: Краснов, В.А., et al.
Published: (2008)
by: Краснов, В.А., et al.
Published: (2008)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2008)
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2008)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
by: Ковальчук, В.А., et al.
Published: (2011)
by: Ковальчук, В.А., et al.
Published: (2011)
Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2005)
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2005)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
by: Добровольский, Ю.Г.
Published: (2006)
by: Добровольский, Ю.Г.
Published: (2006)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
by: Сидор, О.Н., et al.
Published: (2012)
by: Сидор, О.Н., et al.
Published: (2012)
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
by: Глауберман, М.А., et al.
Published: (2013)
by: Глауберман, М.А., et al.
Published: (2013)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
by: Катеринчук, В.Н., et al.
Published: (2007)
by: Катеринчук, В.Н., et al.
Published: (2007)
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
by: Джафарова, Э.А.
Published: (2006)
by: Джафарова, Э.А.
Published: (2006)
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2011)
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2011)
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
by: Кудрик, Я.Я.
Published: (2009)
by: Кудрик, Я.Я.
Published: (2009)
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
by: Байдуллаева, А., et al.
Published: (2007)
by: Байдуллаева, А., et al.
Published: (2007)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
by: Семенов, А.А., et al.
Published: (2012)
by: Семенов, А.А., et al.
Published: (2012)
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
by: Велещук, В.П., et al.
Published: (2017)
by: Велещук, В.П., et al.
Published: (2017)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
Similar Items
-
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2005) -
Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2006) -
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007) -
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005) -
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)