Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53631 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862733234623741952 |
|---|---|
| author | Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Политанская, О.А. Сидор, О.Н. |
| author_facet | Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Политанская, О.А. Сидор, О.Н. |
| citation_txt | Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:36:11Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53631 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:36:11Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Политанская, О.А. Сидор, О.Н. 2014-01-25T12:54:26Z 2014-01-25T12:54:26Z 2005 Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53631 Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур Вплив γ-опромінення на фотоелектричні параметри InSe-гетероструктур Influence of γ-radiation on electrical parameters InSe-heterostructures Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Политанская, О.А. Сидор, О.Н. Технологические процессы и оборудование |
| title | Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_alt | Вплив γ-опромінення на фотоелектричні параметри InSe-гетероструктур Influence of γ-radiation on electrical parameters InSe-heterostructures |
| title_full | Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_fullStr | Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_full_unstemmed | Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_short | Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_sort | влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры inse-гетероструктур |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53631 |
| work_keys_str_mv | AT kovalûkzd vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur AT katerinčukvn vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur AT politanskaâoa vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur AT sidoron vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur AT kovalûkzd vplivγopromínennânafotoelektričníparametriinsegeterostruktur AT katerinčukvn vplivγopromínennânafotoelektričníparametriinsegeterostruktur AT politanskaâoa vplivγopromínennânafotoelektričníparametriinsegeterostruktur AT sidoron vplivγopromínennânafotoelektričníparametriinsegeterostruktur AT kovalûkzd influenceofγradiationonelectricalparametersinseheterostructures AT katerinčukvn influenceofγradiationonelectricalparametersinseheterostructures AT politanskaâoa influenceofγradiationonelectricalparametersinseheterostructures AT sidoron influenceofγradiationonelectricalparametersinseheterostructures |