Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53631 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53631 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Политанская, О.А. Сидор, О.Н. 2014-01-25T12:54:26Z 2014-01-25T12:54:26Z 2005 Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53631 Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур Вплив γ-опромінення на фотоелектричні параметри InSe-гетероструктур Influence of γ-radiation on electrical parameters InSe-heterostructures Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| spellingShingle |
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Политанская, О.А. Сидор, О.Н. Технологические процессы и оборудование |
| title_short |
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_full |
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_fullStr |
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_full_unstemmed |
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_sort |
влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры inse-гетероструктур |
| author |
Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Политанская, О.А. Сидор, О.Н. |
| author_facet |
Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Политанская, О.А. Сидор, О.Н. |
| topic |
Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| publishDate |
2005 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вплив γ-опромінення на фотоелектричні параметри InSe-гетероструктур Influence of γ-radiation on electrical parameters InSe-heterostructures |
| description |
Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53631 |
| citation_txt |
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT kovalûkzd vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur AT katerinčukvn vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur AT politanskaâoa vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur AT sidoron vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur AT kovalûkzd vplivγopromínennânafotoelektričníparametriinsegeterostruktur AT katerinčukvn vplivγopromínennânafotoelektričníparametriinsegeterostruktur AT politanskaâoa vplivγopromínennânafotoelektričníparametriinsegeterostruktur AT sidoron vplivγopromínennânafotoelektričníparametriinsegeterostruktur AT kovalûkzd influenceofγradiationonelectricalparametersinseheterostructures AT katerinčukvn influenceofγradiationonelectricalparametersinseheterostructures AT politanskaâoa influenceofγradiationonelectricalparametersinseheterostructures AT sidoron influenceofγradiationonelectricalparametersinseheterostructures |
| first_indexed |
2025-12-07T19:36:11Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:36:11Z |
| _version_ |
1850879426414247936 |