Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур - Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.Н.; Политанская, О.А.; Сидор, О.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.