Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2005
• Main Authors: Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.Н., Политанская, О.А., Сидор, О.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
• Subjects: Технологические процессы и оборудование
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53631
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.