Buchumschlag

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур

Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2005
Hauptverfasser:	Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.Н., Политанская, О.А., Сидор, О.Н.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Schlagworte:	Технологические процессы и оборудование
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53631
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
von: Будзуляк, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Информационные параметры для реализации адаптивной зарядки вторичных химических источников тока
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
von: Katerinchuk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Повышение помехоустойчивости бинаризации изображений фотошаблонов в пространстве вейвлет-преобразования
von: Щербакова, Г.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Автоматизированная система регистрации циклов при вибрационных испытаниях образца
von: Усов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе
von: Плис, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
von: Тыныныка, А.Н
Veröffentlicht: (2016)

Вычисление дифракционной составляющей глубины резко изображаемого пространства в оптическом микроскопе
von: Боровицкий, В.Н.
Veröffentlicht: (2007)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Узгодження параметрів зварювальних імпульсів з програмою тиску електродів та електрофізичними процесами в зварювальному контакті
von: Бондаренко, О.Ф.
Veröffentlicht: (2019)

Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
von: Зяблюк, К.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Приборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессах
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Позиционирование изображений фотошаблонов в системах автоматизированного оптического контроля
von: Крылов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Метод защиты поверхности расплавленного припоя от окисления
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
von: Павлович, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Сравнительный анализ методов сборки микросхем на гибких полиимидных носителях
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)