Buchumschlag

Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии

Применение интегральных схем формирователей изображения позволяет создать малогабаритную аппаратуру для интроскопии и томографии, в том числе рентгеновские сканеры с повышенным разрешением....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2005
Hauptverfasser:	Перевертайло, В.Л., Епифанов, А.А., Каренгин, В.Г., Тарасенко Л.И.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Schlagworte:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53681
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии / В.Л. Перевертайло, А.А. Епифанов, В.Г. Каренгин, Л.И. Тарасенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 33-38. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2011)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2012)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2013)

Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Оптический аттенюатор
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
von: Максименко, Л.С., et al.
Veröffentlicht: (2013)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
von: Ленков, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
von: Ижнин, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
von: Кудрик, Я.Я.
Veröffentlicht: (2009)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2011)

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
von: Дементьев, С.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)

Модель линии передачи для наноэлектроники
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2009)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
von: Тонкошкур, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2012)