СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов - Григорьянц, В.В.; Долгов, А.П.; Кочмарёв, Л.Ю.; Шилов, И.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
Представлены результаты разработки технологии и исследования оптических характеристик высокоапертурных ПОВ на основе SiO₂-F | SiO₂ | SiO₂-F-структур, формируемых в плазме СВЧ-разряда.