Обзор мирового рынка арсенида галлия
На основе публикаций последних лет рассмотрены изменения рынка арсенида галлия после кризиса 2001 г., предложена периодизация и описаны тенденции развития рынка приборов на его основе, а также состояние российского рынка....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| 1. Verfasser: | Наумов, А.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53685 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Обзор мирового рынка арсенида галлия / А.В. Наумов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 53-57. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением
von: Моллаев, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Моллаев, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
von: Гаджиалиев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаджиалиев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
von: Стерхова, А.В.
Veröffentlicht: (2002)
von: Стерхова, А.В.
Veröffentlicht: (2002)
Гибкие фольгированные диэлектрики: классификация и анализ направлений применения и совершенствования
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Высокоинформативный комплексный метод определения типа моторного масла
von: Мамыкин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Мамыкин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок
von: Стерхова, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Стерхова, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
von: Казаков, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Казаков, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Пассивация поверхности высокочистых гранулированных металлов: цинка, кадмия, свинца
von: Пироженко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Пироженко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
von: Катрунов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Катрунов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Прогноз развития мирового энергетического рынка
von: Цилибина, В.М.
Veröffentlicht: (2018)
von: Цилибина, В.М.
Veröffentlicht: (2018)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Диэлектрическая релаксация Коул-Коула
von: Новиков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Новиков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃
von: Кузенко, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Кузенко, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Использование "эффекта текстуры" для повышения прочности конструкционных материалов
von: Гохман, А.Р., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Гохман, А.Р., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Нанокомпозиты на основе опаловых матриц с 3D-структурой, образованной магнитными наночастицами
von: Ринкевич, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Ринкевич, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Структура полимерных композитов на основе диоксида ванадия и их диэлектрические свойства в диапазоне радиочастот
von: Колбунов, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Колбунов, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Ректификационная очистка трихлорида мышьяка от примеси кислорода
von: Мазницкая, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Мазницкая, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
von: Ротнер, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ротнер, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Тенденции развития мирового рынка продовольствия
von: Рудь, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2011)
von: Рудь, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2011)
3D-нанокомпозиты — опаловые матрицы с включениями металлического Со и слоистые структуры «опаловая матрица — Co/Ir»
von: Самойлович, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Самойлович, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
von: Балицкий, А.А.
Veröffentlicht: (2005)
von: Балицкий, А.А.
Veröffentlicht: (2005)
Молекулярная модель и химическая связь теллура
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Химическая связь сурьмы. Технологические аспекты
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Ähnliche Einträge
-
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999) -
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением
von: Моллаев, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)