Искендер-заде, З., Ахундов, М., Джафарова, Э., & Алиханова, Ш. (2004). Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Искендер-заде, З.А, М.Р Ахундов, Э.А Джафарова, та Ш.А Алиханова. Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2004.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Искендер-заде, З.А, et al. Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2004.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.