Cover Image

Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si

Показана возможность практического применения Al-SiO₂-Si-структур в создании стабильных и управляемых элементов памяти.

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2004
Main Authors: Искендер-заде, З.А., Ахундов, М.Р., Джафарова, Э.А., Алиханова, Ш.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Subjects:
Материалы электроники
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53803
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si / З.А. Искендер-заде, М.Р. Ахундов, Э.А. Джафарова, Ш.А. Алиханова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 2. — С. 59-61. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items