Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si

• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Искендер-заде, З.А., Ахундов, М.Р., Джафарова, Э.А., Алиханова, Ш.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
• Schriftenreihe: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Schlagworte: Материалы электроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53803
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si / З.А. Искендер-заде, М.Р. Ахундов, Э.А. Джафарова, Ш.А. Алиханова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 2. — С. 59-61. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Показана возможность практического применения Al-SiO₂-Si-структур в создании стабильных и управляемых элементов памяти.