Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения

Изготовленные гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) могут быть использованы для упрощения регистрации азимутальной ориентации плоскополяризованного света.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2004
Hauptverfasser:	Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.Н.
Format:	Artikel
Sprache:	Russian
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Schriftenreihe:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Schlagworte:	Материалы для микроэлектроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54420
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 7-9. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Beschreibung
Zusammenfassung:	Изготовленные гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) могут быть использованы для упрощения регистрации азимутальной ориентации плоскополяризованного света.