Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Олих, Я.М., Лисюк, И.А., Тимочко, Н.Д.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
• Schlagworte: Материалы для микроэлектроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54421
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge / Я.М. Олих, И.А. Лисюк, Н.Д. Тимочко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 10-13. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

На модельных образцах нейтронно-легированного Се испытана оригинальная методика отжига полупроводников в условиях воздействия ультразвука.