Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
На модельных образцах нейтронно-легированного Се испытана оригинальная методика отжига полупроводников в условиях воздействия ультразвука.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54421 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge / Я.М. Олих, И.А. Лисюк, Н.Д. Тимочко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 10-13. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
за авторством: Olikh, Ja. M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Olikh, Ja. M., та інші
Опубліковано: (2004)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2004)
Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
за авторством: Савицкий, Г.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Савицкий, Г.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2001)
Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
за авторством: Абызов, А.С., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Абызов, А.С., та інші
Опубліковано: (2004)
Токопроводящий клей на основе порошка меди
за авторством: Каркина, Е.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Каркина, Е.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2002)
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
за авторством: Орлов, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Орлов, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
за авторством: Королюк, С.Л., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Королюк, С.Л., та інші
Опубліковано: (2001)
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2005)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 4. Особенности экспоненциальной кинетики
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Ультрадисперсные субфазы в молекулярной электронике
за авторством: Ковальчук, В.В.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ковальчук, В.В.
Опубліковано: (2002)
Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии
за авторством: Варенцов, М.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Варенцов, М.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами
за авторством: Неклюдов, И.М., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Неклюдов, И.М., та інші
Опубліковано: (2009)
Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
за авторством: Дунаенко, А.Х., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Дунаенко, А.Х., та інші
Опубліковано: (2003)
Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
за авторством: Будянский, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Будянский, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
за авторством: Дудник, С.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Дудник, С.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
Диодные реакторные системы микротравления
за авторством: Фареник, В.И.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Фареник, В.И.
Опубліковано: (2002)
Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2005)
Оборудование для зондовой диагностики и контроля плазменных технологических процессов
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Адсорбционное понижение прочности сорбентов и катализаторов
за авторством: Лепин, И.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Лепин, И.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Адсорбционное понижение прочности сорбентов и катализаторов
за авторством: Лепин, И.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Лепин, И.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Изотермический отжиг радиационных дефектов в сплавах циркония с редкоземельными металлами
за авторством: Борисенко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Борисенко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)