Устройства на основе фотонных кристаллов
Рассмотрены физико-технические особенности фотонных кристаллов. Представлен обзор конструкций и характеристик устройств на их основе.
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| 1. Verfasser: | Нелин, Е.А. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54423 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Устройства на основе фотонных кристаллов / Е.А. Нелин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 18-25. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Устройства на основе фотонных кристаллов
von: Nelin, Е. A.
Veröffentlicht: (2004)
von: Nelin, Е. A.
Veröffentlicht: (2004)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
von: Боднарук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Боднарук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001)
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2004)
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2004)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
von: Демёхин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Демёхин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Двухспектральный фотоприемник
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Анизотропный термоэлектрический компаратор
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
von: Емцев, П.А.
Veröffentlicht: (2003)
von: Емцев, П.А.
Veröffentlicht: (2003)
Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
von: Осадчук, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Осадчук, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
von: Брайко, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Брайко, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
von: Иващук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Иващук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
von: Ющук, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ющук, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Микрочиповые лазеры
von: Матковский, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Матковский, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений
von: Ницович, Б.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ницович, Б.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
von: Попович, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Попович, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Технологии изготовления фотонных кристаллов
von: Березянский, Б.М.
Veröffentlicht: (2007)
von: Березянский, Б.М.
Veröffentlicht: (2007)
Технологии изготовления фотонных кристаллов
von: Berezianskyi, B. M.
Veröffentlicht: (2007)
von: Berezianskyi, B. M.
Veröffentlicht: (2007)
Повышение зонной избирательности электромагнитных кристаллов
von: Назарько, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Назарько, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Влияние циклического режима работы охлаждающего термоэлектрического устройства на его надежность
von: Зайков, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Зайков, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Угловые избирательные свойства одномерных анизотропных фотонных кристаллов
von: Вытовтов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Вытовтов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
von: Габа, В.М.
Veröffentlicht: (2009)
von: Габа, В.М.
Veröffentlicht: (2009)
Модель линии передачи для наноэлектроники
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2009)
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2009)
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2012)
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование теплопередающих характеристик радиаторов с оребрением на основе миниатюрных тепловых труб
von: Кравец, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Кравец, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2011)
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2011)
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Устройство для охлаждения элементов микроэлектронной аппаратуры
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Ähnliche Einträge
-
Устройства на основе фотонных кристаллов
von: Nelin, Е. A.
Veröffentlicht: (2004) -
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
von: Боднарук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001) -
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)