Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
Приведены рекомендации по проектированию микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей температуры, оптического излучения, магнитной индукции и давления....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | Осадчук, В.С., Осадчук, А.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54424 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы / В.С. Осадчук , А.В. Осадчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 26-33. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
von: Боднарук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Боднарук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений
von: Ницович, Б.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ницович, Б.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Анизотропный термоэлектрический компаратор
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Двухспектральный фотоприемник
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
von: Шварц, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Шварц, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Устройства на основе фотонных кристаллов
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2004)
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2004)
Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
von: Брайко, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Брайко, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001)
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001)
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
von: Попович, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Попович, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
von: Курак, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Курак, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Влияние циклического режима работы охлаждающего термоэлектрического устройства на его надежность
von: Зайков, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Зайков, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Охлаждение перспективных накопителей на жестких магнитных дисках с применением тепловых труб
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Исследование теплопередающих характеристик радиаторов с оребрением на основе миниатюрных тепловых труб
von: Кравец, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Кравец, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Исследование проволочного радиатора с тепловыми трубами для средств вычислительной техники
von: Булавин, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Булавин, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Исследование температурного поля накопителя на жестких магнитных дисках
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Применение самовосстанавливающихся элементов для электрической защиты солнечных батарей
von: Тонкошкур, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Тонкошкур, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Методы совершенствования параметров микроэлектронных компонентов и анализ их эффективности с помощью виртуальных оценочных плат
von: Романов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Романов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Мощный инвертор напряжения со специальной силовой микросхемой
von: Гаврилюк, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Гаврилюк, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Исследование характеристик миниатюрных тепловых труб для охлаждения микроэлектронной аппаратуры
von: Кравец, В.Ю.
Veröffentlicht: (2001)
von: Кравец, В.Ю.
Veröffentlicht: (2001)
Тепловая эффективность оребренных поверхностей при низкоскоростном обдуве
von: Письменный, Е.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Письменный, Е.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Влияние режимных параметров на теплопередающие характеристики миниатюрных тепловых труб
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
von: Корнейчук, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Корнейчук, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Устройство для охлаждения элементов микроэлектронной аппаратуры
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Исследование термоупругих свойств ветвей термоэлектрических модулей Пельтье
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Моделирование нагрузочных характеристик оптимального каскадного термоэлектрического охладителя
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)
Развитие принципов построения высоковольтных цифро-аналоговых преобразователей
von: Таранов, С.Г., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Таранов, С.Г., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ähnliche Einträge
-
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002) -
Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002) -
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)