Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
На примере арсенидгаллиевых p-n-структур рассмотрена возможность использования электролюминесценции p-n-структур для доводки их при изготовлении фотоприемников.
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54426 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники / И.М. Викулин, В.И. Ирха, Б.В. Коробицын, В.Э. Горбачев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 38-39. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |