Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
На примере арсенидгаллиевых p-n-структур рассмотрена возможность использования электролюминесценции p-n-структур для доводки их при изготовлении фотоприемников.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | Викулин, И.М., Ирха, В.И., Коробицын, Б.В., Горбачев, В.Э. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54426 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники / И.М. Викулин, В.И. Ирха, Б.В. Коробицын, В.Э. Горбачев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 38-39. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)
Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
за авторством: Ющук, С.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ющук, С.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
за авторством: Попович, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Попович, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001)
Микрочиповые лазеры
за авторством: Матковский, А.О., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Матковский, А.О., та інші
Опубліковано: (2002)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Иващук, А.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Иващук, А.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Анизотропный термоэлектрический компаратор
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений
за авторством: Ницович, Б.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ницович, Б.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2004)
Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
за авторством: Брайко, Г.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Брайко, Г.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
за авторством: Демёхин, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Демёхин, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
за авторством: Осадчук, В.С., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Осадчук, В.С., та інші
Опубліковано: (2004)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Двухспектральный фотоприемник
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Устройства на основе фотонных кристаллов
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2004)
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
за авторством: Болгов, С.С.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Болгов, С.С.
Опубліковано: (2001)
Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
за авторством: Емцев, П.А.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Емцев, П.А.
Опубліковано: (2003)
Закономерности деградации светоизлучающих диодов
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Краснов, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Краснов, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование теплопередающих характеристик радиаторов с оребрением на основе миниатюрных тепловых труб
за авторством: Кравец, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Кравец, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2004)
Исследование характеристик миниатюрных тепловых труб для охлаждения микроэлектронной аппаратуры
за авторством: Кравец, В.Ю.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Кравец, В.Ю.
Опубліковано: (2001)
Моделирование нагрузочных характеристик оптимального каскадного термоэлектрического охладителя
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)
Теоретические аспекты оптимизации металлических токосъемных контактов солнечных элементов
за авторством: Горский, П.В., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Горский, П.В., та інші
Опубліковано: (2001)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)
ОПТИМИЗАЦИЯ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЯ С ПОСТОЯННЫМИ МАГНИТАМИ
за авторством: Стадник, И.П., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Стадник, И.П., та інші
Опубліковано: (2015)
Оптимизация геометрических параметров электродвигателя с постоянными магнитами
за авторством: Стадник, И.П., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Стадник, И.П., та інші
Опубліковано: (2015)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
за авторством: Леонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Леонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2006)
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
за авторством: Ижнин, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ижнин, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Схожі ресурси
-
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001) -
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002) -
Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
за авторством: Ющук, С.И., та інші
Опубліковано: (2005) -
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001) -
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)