Cover Image

Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники

На примере арсенидгаллиевых p-n-структур рассмотрена возможность использования электролюминесценции p-n-структур для доводки их при изготовлении фотоприемников.

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2004
Main Authors: Викулин, И.М., Ирха, В.И., Коробицын, Б.В., Горбачев, В.Э.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Subjects:
Функциональная микроэлектроника
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54426
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники / И.М. Викулин, В.И. Ирха, Б.В. Коробицын, В.Э. Горбачев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 38-39. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items