Бактериальный мультисенсор для определения содержания тяжелых металлов в воде

• Date: 2007
• Main Authors: Грузина, Т.Г., Задорожняя, А.М., Гутник, Г.А., Вембер, В.В., Ульберг, З.Р., Канюк, Н.И., Стародуб, Н.Ф.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут колоїдної хімії та хімії води ім. А.В. Думанського НАН України 2007
• Subjects: Биологические методы очистки воды
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5499
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Бактериальный мультисенсор для определения содержания тяжелых металлов в воде / Т.Г. Грузина, А.М. Задорожняя, Г.А. Гутник, В.В. Вембер, З.Р. Ульберг, Н.И. Канюк, Н.Ф. Стародуб // Химия и технология воды. — 2007. — Т. 29, № 1. — С. 87-92. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Изучена возможность дифференцированного определения Zn^2+, Co^2+, Cu^2+ в модельных водных средах в системе с культурами бактерий Pseudomonas sp. B4251, Bacillus cereus B4368, E. coli 1257. Разработан и создан мультибиосенсор на основе ёмкостных структур типа электролит – диэлектрик – полупроводник и ионочувствительного слоя нитрида кремния. Нижняя граница чувствительности метода составила: для цинка – 0,2 , для кобальта – 0,05, для меди – 0,1 мг/дм^3, что соответствует 1 – 3 мкМ по металлу. Вивчено можливість диференційованого визначення іонів цинку, кобальту та міді у модельних водних середовищах у системі з трьома культурами бактерій Pseudomonas sp. B4251, Bacillus cereus B4368, E. coli 1257. Розроблено та створено мультибиосенсор на основі ємнісних структур типу електроліт–діелектрик–напівпровідник та іон-чутливого шару нітриду кремнію. Нижня межа чутливості методу склала: для цинку – 0,2, для кобальту – 0,05, для міді – 0,1 мг/дм^3, що відповідає 1 – 3 мкМ за металом. The possibility of zinc, cobalt and copper ions differential determination in the modal water mediums in the system with three bacterial cultures has been investigated. Bacterial multisensor based on the capacitive electrolyte-dielectricsemiconductor structure type with ion-sensitive silicon nitride layer has been developed and produced.The lower sensitivity limit of this method is: 0,2 for zinc, 0,05 for cobalt, 0,1 mg/dm^3 for copper, which corresponds to 1 – 3 mkM for the metal.