Особенности токопереноса в тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия для функциональных элементов систем измерений, управления и связи
Проанализированы и обобщены результаты работ по исследованию особенностей токопреноса в тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия, проведенных в отделе функциональных элементов систем управления Института технической механики НАН Украины и НКА Украины в течение последних десяти лет. This p...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| ISSN: | 1561-9184 |
| Hauptverfasser: | Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут технічної механіки НАН України і НКА України
2008
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/5573 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особенности токопереноса в тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия для функциональных элементов систем измерений, управления и связи / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Техн. механика. — 2008. — № 2. — С. 96-106. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Обзор мирового рынка арсенида галлия
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005)
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005)
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением
von: Моллаев, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Моллаев, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Mokritsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Mokritsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
von: Гаджиалиев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаджиалиев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Яцуненко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Яцуненко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Оценка производственных погрешностей тонкопленочных элементов
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2004)
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2004)
Оценка производственных погрешностей тонкопленочных элементов
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2004)
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2004)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Определение комплексного коэффициента отражения электромагнитной волны с помощью зондовых измерений
von: Пилипенко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Пилипенко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией
von: Онищук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Онищук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Компенсация систематических погрешностей тонкопленочных элементов через элементы фотошаблона
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2004)
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2004)
Компенсация систематических погрешностей тонкопленочных элементов через элементы фотошаблона
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2004)
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2004)
Реализация волноводных сенсоров на тонкопленочных структурах нанопористый анодный оксид алюминия – алюминий
von: Лебедева, Т.С., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Лебедева, Т.С., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Двухзондовая реализация интерференционного метода измерения параметров движения механических объектов
von: Пилипенко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Пилипенко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Двухзондовый метод измерения параметров движения механических объектов
von: Пилипенко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Пилипенко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Измерение параметров движения механических объектов с использованием двух электрических зондов
von: Пилипенко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Пилипенко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Датчики на основе СВЧ-резонаторов для систем контроля параметров органических жидкостей
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия
von: Клепикова, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Клепикова, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si
von: Юсупов, А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Юсупов, А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Измерение параметров движения интерференционным методом в широком диапазоне амплитуд перемещений
von: Пилипенко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Пилипенко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Электрическое сопротивление контакта тонкопленочных резисторов
von: Лугин, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Лугин, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
von: Лугин, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Лугин, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Перспективы развития тонкопленочных микросборок
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)
Перспективы развития тонкопленочных микросборок
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2005)
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2005)
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Радиационные потери сосредоточенных элементов связи открытых резонаторов
von: Гламаздин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Гламаздин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
von: Lugin, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Lugin, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Ähnliche Einträge
-
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Обзор мирового рынка арсенида галлия
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005) -
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)