Енергетичний спектр електрона з фононними повтореннями у плоскій напівпровідниковій наногетероструктурі з квантовою ямою

• Published in: Український фізичний журнал
• Date: 2010
• Main Authors: Крамар, В.М., Ткач, М.В.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Відділення фізики і астрономії НАН України 2010
• Subjects: Наносистеми
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56224
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Енергетичний спектр електрона з фононними повтореннями у плоскій напівпровідниковій наногетероструктурі з квантовою ямою / В.М. Крамар, М.В. Ткач // Український фізичний журнал. — 2010. — Т. 55, № 6. — С. 726-732. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Дослiджено перенормування енергетичного спектра електрона у плоскiй напiвпровiдниковiй наногетероструктурi з прямокутною квантовою ямою скiнченої глибини внаслiдок взаємодiї з оптичними поляризацiйними фононами. У рамках методу функцiй Грiна одержано аналiтичний вигляд масового оператора, де враховано двофононнi процеси електрон-фононної взаємодiї при T = 0 K. Обчислено поправку до енергiї дна основної зони електрона та положення перших фононних повторень, викликаних його взаємодiєю з обмеженими, напiвпросторовими та iнтерфейсними фононами. We investigated the renormalization of the energy spectrum of an electron in a flat semiconductor nanoheterostructure with a rectangular quantum well of finite depth due to its interaction with optical polarization phonons. The analytical form of the mass operator with regard for two-phonon processes of the electronphonon interaction at T = 0 K is obtained in the framework of the Green function method. The corrections to the main-band bottom energy of an electron and positions of the first phonon replicas induced by its interaction with confined, half-space, and interface phonons are calculated. Исследовано перенормирование энергетического спектра электрона в плоской полупроводниковой наногетероструктуре с прямоугольной квантовой ямой конечной глубины вследствие взаимодействия с оптическими поляризационными фононами. В рамках метода функций Грина получено аналитическое выражение для массового оператора, учитывающего двухфононные процессы электрон-фононного взаимодействия при T = 0 K. Вычислена поправка к энергии дна основной зоны электрона и положение первых фононных повторений, вызванных его взаимодействием с ограниченными, полуограниченными и интерфейсными фононами.