Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов
Разработан и исследован процесс формирования столбиковых выводов из Pb/Sn и In на сенсорных GaAs-матрицах.
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | Беришвили, З.В., Джангидзе, Л.В., Схиладзе, Г.А., Мелкадзе, Р.Г., Лежнева, Т.М., Перадзе, Г.Г. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56240 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов / З.В. Беришвили, Л.В. Джангидзе, Г.А. Схиладзе, Р.Г. Мелкадзе, Т.М. Лежнева, Г.Г. Перадзе // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 4. — С. 43-45. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
by: Готра, З.Ю., et al.
Published: (2009)
by: Готра, З.Ю., et al.
Published: (2009)
Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
by: Hotra, Z. Yu., et al.
Published: (2009)
by: Hotra, Z. Yu., et al.
Published: (2009)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: Vainberg, V.V., et al.
Published: (2013)
by: Vainberg, V.V., et al.
Published: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2013)
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2013)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2007)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2007)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
by: Sghaier, H., et al.
Published: (2012)
by: Sghaier, H., et al.
Published: (2012)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
by: Storozhenko, I. P., et al.
Published: (2013)
by: Storozhenko, I. P., et al.
Published: (2013)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
by: Karimov, A.V., et al.
Published: (2005)
by: Karimov, A.V., et al.
Published: (2005)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
by: Kladko, V.P., et al.
Published: (2000)
by: Kladko, V.P., et al.
Published: (2000)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2014)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2014)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
by: Kovachov, S. S., et al.
Published: (2024)
by: Kovachov, S. S., et al.
Published: (2024)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
by: Holovatsky, V.A., et al.
Published: (2018)
by: Holovatsky, V.A., et al.
Published: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: M. M. Vinoslavskii, et al.
Published: (2018)
by: M. M. Vinoslavskii, et al.
Published: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: Vinoslavskii, M.M., et al.
Published: (2018)
by: Vinoslavskii, M.M., et al.
Published: (2018)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
by: Kryshtab, T.G., et al.
Published: (1999)
by: Kryshtab, T.G., et al.
Published: (1999)
Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
by: Gadzhieva, N.N., et al.
Published: (2020)
by: Gadzhieva, N.N., et al.
Published: (2020)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2006)
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2006)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
by: V. R. Rasulov
Published: (2016)
by: V. R. Rasulov
Published: (2016)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
by: V. R. Rasulov
Published: (2016)
by: V. R. Rasulov
Published: (2016)
Устройства для контроля качества сварных соединений выводов бескорпусных микросхем
by: Spirin, V. G.
Published: (2013)
by: Spirin, V. G.
Published: (2013)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
by: Кулик, Л.В., et al.
Published: (2017)
by: Кулик, Л.В., et al.
Published: (2017)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2017)
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2017)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
by: L. V. Kulik, et al.
Published: (2017)
by: L. V. Kulik, et al.
Published: (2017)
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
by: Boltovets, N.S., et al.
Published: (2002)
by: Boltovets, N.S., et al.
Published: (2002)
Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
by: Paschenko, G. A., et al.
Published: (2012)
by: Paschenko, G. A., et al.
Published: (2012)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
by: H. Sghaier, et al.
Published: (2012)
by: H. Sghaier, et al.
Published: (2012)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2003)
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2003)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
by: Iliash, S.A., et al.
Published: (2016)
by: Iliash, S.A., et al.
Published: (2016)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
by: Круковский, С.И.
Published: (2002)
by: Круковский, С.И.
Published: (2002)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
by: A. P. Savelev, et al.
Published: (2017)
by: A. P. Savelev, et al.
Published: (2017)
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
by: P. Sritonwong, et al.
Published: (2018)
by: P. Sritonwong, et al.
Published: (2018)
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
by: P. Sritonwong, et al.
Published: (2018)
by: P. Sritonwong, et al.
Published: (2018)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
by: S. A. Iliash, et al.
Published: (2016)
by: S. A. Iliash, et al.
Published: (2016)
Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами
by: Колбасов, Г.Я., et al.
Published: (2008)
by: Колбасов, Г.Я., et al.
Published: (2008)
Optical properties of p-type porous GaAs
by: Kidalov, V.V., et al.
Published: (2005)
by: Kidalov, V.V., et al.
Published: (2005)
Active inductances controlled in GaAs MESFET technology
by: Benbouza, M.S., et al.
Published: (2006)
by: Benbouza, M.S., et al.
Published: (2006)
Similar Items
-
Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
by: Готра, З.Ю., et al.
Published: (2009) -
Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
by: Hotra, Z. Yu., et al.
Published: (2009) -
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: Vainberg, V.V., et al.
Published: (2013) -
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2013) -
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2007)