Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа

Корпуса SMD-1 позволяют изготавливать приборы с минимальными внутренними напряжениями и обеспечивать их высокую герметичность и надежность.

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2004
Hauptverfasser: Рубцевич, И.И., Ануфриев, Л.П., Керенцев, А.Ф.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56263
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа / И.И. Рубцевич, Л.П. Ануфриев, А.Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 5. — С. 54-55. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-56263
record_format dspace
spelling Рубцевич, И.И.
Ануфриев, Л.П.
Керенцев, А.Ф.
2014-02-15T12:13:28Z
2014-02-15T12:13:28Z
2004
Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа / И.И. Рубцевич, Л.П. Ануфриев, А.Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 5. — С. 54-55. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56263
Корпуса SMD-1 позволяют изготавливать приборы с минимальными внутренними напряжениями и обеспечивать их высокую герметичность и надежность.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технология производства
Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
Дослідження MOSFET-транзисторів в різних герметичних корпусах дня поверхневого монтажу
Investigation of MOSFET-transistors in different hermetic pack¬age types for surface mounting
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
spellingShingle Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
Рубцевич, И.И.
Ануфриев, Л.П.
Керенцев, А.Ф.
Технология производства
title_short Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
title_full Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
title_fullStr Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
title_full_unstemmed Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
title_sort исследование mosfet-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
author Рубцевич, И.И.
Ануфриев, Л.П.
Керенцев, А.Ф.
author_facet Рубцевич, И.И.
Ануфриев, Л.П.
Керенцев, А.Ф.
topic Технология производства
topic_facet Технология производства
publishDate 2004
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Дослідження MOSFET-транзисторів в різних герметичних корпусах дня поверхневого монтажу
Investigation of MOSFET-transistors in different hermetic pack¬age types for surface mounting
description Корпуса SMD-1 позволяют изготавливать приборы с минимальными внутренними напряжениями и обеспечивать их высокую герметичность и надежность.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56263
citation_txt Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа / И.И. Рубцевич, Л.П. Ануфриев, А.Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 5. — С. 54-55. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT rubcevičii issledovaniemosfettranzistorovvrazličnyhgermetičnyhkorpusahdlâpoverhnostnogomontaža
AT anufrievlp issledovaniemosfettranzistorovvrazličnyhgermetičnyhkorpusahdlâpoverhnostnogomontaža
AT kerencevaf issledovaniemosfettranzistorovvrazličnyhgermetičnyhkorpusahdlâpoverhnostnogomontaža
AT rubcevičii doslídžennâmosfettranzistorívvríznihgermetičnihkorpusahdnâpoverhnevogomontažu
AT anufrievlp doslídžennâmosfettranzistorívvríznihgermetičnihkorpusahdnâpoverhnevogomontažu
AT kerencevaf doslídžennâmosfettranzistorívvríznihgermetičnihkorpusahdnâpoverhnevogomontažu
AT rubcevičii investigationofmosfettransistorsindifferenthermeticpackagetypesforsurfacemounting
AT anufrievlp investigationofmosfettransistorsindifferenthermeticpackagetypesforsurfacemounting
AT kerencevaf investigationofmosfettransistorsindifferenthermeticpackagetypesforsurfacemounting
first_indexed 2025-12-07T15:34:25Z
last_indexed 2025-12-07T15:34:25Z
_version_ 1850864215757160448