Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2004
• Main Authors: Рубцевич, И.И., Ануфриев, Л.П., Керенцев, А.Ф.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
• Subjects: Технология производства
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56263
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа / И.И. Рубцевич, Л.П. Ануфриев, А.Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 5. — С. 54-55. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Корпуса SMD-1 позволяют изготавливать приборы с минимальными внутренними напряжениями и обеспечивать их высокую герметичность и надежность.