Ковтун, Г., Кравченко, А., Кондрик, А., & Щербань, А. (2004). Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Ковтун, Г.П, А.И Кравченко, А.И Кондрик, und А.П Щербань. "Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2004.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Ковтун, Г.П, et al. "Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.