Ковтун, Г., Кравченко, А., Кондрик, А., & Щербань, А. (2004). Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Chicago Style (17th ed.) CitationКовтун, Г.П, А.И Кравченко, А.И Кондрик, and А.П Щербань. "Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2004.
MLA (8th ed.) CitationКовтун, Г.П, et al. "Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.