Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56290 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862671980420923392 |
|---|---|
| author | Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П. |
| author_facet | Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П. |
| citation_txt | Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:34:26Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-56290 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:34:26Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П. 2014-02-15T18:11:13Z 2014-02-15T18:11:13Z 2004 Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56290 Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского Технологічні способи поліпшення теплового режиму вирощування кристалів GaAs за методом Чохральського The processes to improve the thermal mode of GaAs crystal growth by Czohralski method Article published earlier |
| spellingShingle | Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П. Материалы для микроэлектроники |
| title | Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_alt | Технологічні способи поліпшення теплового режиму вирощування кристалів GaAs за методом Чохральського The processes to improve the thermal mode of GaAs crystal growth by Czohralski method |
| title_full | Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_fullStr | Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_full_unstemmed | Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_short | Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_sort | технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов gaas методом чохральского |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56290 |
| work_keys_str_mv | AT kovtungp tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT kravčenkoai tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT kondrikai tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT ŝerbanʹap tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT kovtungp tehnologíčnísposobipolípšennâteplovogorežimuviroŝuvannâkristalívgaaszametodomčohralʹsʹkogo AT kravčenkoai tehnologíčnísposobipolípšennâteplovogorežimuviroŝuvannâkristalívgaaszametodomčohralʹsʹkogo AT kondrikai tehnologíčnísposobipolípšennâteplovogorežimuviroŝuvannâkristalívgaaszametodomčohralʹsʹkogo AT ŝerbanʹap tehnologíčnísposobipolípšennâteplovogorežimuviroŝuvannâkristalívgaaszametodomčohralʹsʹkogo AT kovtungp theprocessestoimprovethethermalmodeofgaascrystalgrowthbyczohralskimethod AT kravčenkoai theprocessestoimprovethethermalmodeofgaascrystalgrowthbyczohralskimethod AT kondrikai theprocessestoimprovethethermalmodeofgaascrystalgrowthbyczohralskimethod AT ŝerbanʹap theprocessestoimprovethethermalmodeofgaascrystalgrowthbyczohralskimethod |