Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56290 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-56290 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П. 2014-02-15T18:11:13Z 2014-02-15T18:11:13Z 2004 Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56290 Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского Технологічні способи поліпшення теплового режиму вирощування кристалів GaAs за методом Чохральського The processes to improve the thermal mode of GaAs crystal growth by Czohralski method Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| spellingShingle |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П. Материалы для микроэлектроники |
| title_short |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_full |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_fullStr |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_full_unstemmed |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского |
| title_sort |
технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов gaas методом чохральского |
| author |
Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П. |
| author_facet |
Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П. |
| topic |
Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| publishDate |
2004 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Технологічні способи поліпшення теплового режиму вирощування кристалів GaAs за методом Чохральського The processes to improve the thermal mode of GaAs crystal growth by Czohralski method |
| description |
Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56290 |
| citation_txt |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT kovtungp tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT kravčenkoai tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT kondrikai tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT ŝerbanʹap tehnologičeskiepriemyulučšeniâteplovogorežimavyraŝivaniâkristallovgaasmetodomčohralʹskogo AT kovtungp tehnologíčnísposobipolípšennâteplovogorežimuviroŝuvannâkristalívgaaszametodomčohralʹsʹkogo AT kravčenkoai tehnologíčnísposobipolípšennâteplovogorežimuviroŝuvannâkristalívgaaszametodomčohralʹsʹkogo AT kondrikai tehnologíčnísposobipolípšennâteplovogorežimuviroŝuvannâkristalívgaaszametodomčohralʹsʹkogo AT ŝerbanʹap tehnologíčnísposobipolípšennâteplovogorežimuviroŝuvannâkristalívgaaszametodomčohralʹsʹkogo AT kovtungp theprocessestoimprovethethermalmodeofgaascrystalgrowthbyczohralskimethod AT kravčenkoai theprocessestoimprovethethermalmodeofgaascrystalgrowthbyczohralskimethod AT kondrikai theprocessestoimprovethethermalmodeofgaascrystalgrowthbyczohralskimethod AT ŝerbanʹap theprocessestoimprovethethermalmodeofgaascrystalgrowthbyczohralskimethod |
| first_indexed |
2025-12-07T15:34:26Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:34:26Z |
| _version_ |
1850864216925274112 |