Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского - Ковтун, Г.П.; Кравченко, А.И.; Кондрик, А.И.; Щербань, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)
Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса.