Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56291 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe / А.И. Власенко, З.К. Власенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 7-10. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862640466319638528 |
|---|---|
| author | Власенко, А.И. Власенко, З.К. |
| author_facet | Власенко, А.И. Власенко, З.К. |
| citation_txt | Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe / А.И. Власенко, З.К. Власенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 7-10. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения.
|
| first_indexed | 2025-12-01T03:02:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-56291 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T03:02:32Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Власенко, А.И. Власенко, З.К. 2014-02-15T18:13:23Z 2014-02-15T18:13:23Z 2004 Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe / А.И. Власенко, З.К. Власенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 7-10. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56291 Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe Квантовий вихід межзонної випромінювальної рекомбінації в кристалах CdHgTe Quantum yield of interband radiative recombination in CdHgTe crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe Власенко, А.И. Власенко, З.К. Материалы для микроэлектроники |
| title | Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe |
| title_alt | Квантовий вихід межзонної випромінювальної рекомбінації в кристалах CdHgTe Quantum yield of interband radiative recombination in CdHgTe crystals |
| title_full | Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe |
| title_fullStr | Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe |
| title_full_unstemmed | Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe |
| title_short | Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe |
| title_sort | квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах cdhgte |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56291 |
| work_keys_str_mv | AT vlasenkoai kvantovyivyhodmežzonnoiizlučatelʹnoirekombinaciivkristallahcdhgte AT vlasenkozk kvantovyivyhodmežzonnoiizlučatelʹnoirekombinaciivkristallahcdhgte AT vlasenkoai kvantoviivihídmežzonnoívipromínûvalʹnoírekombínacíívkristalahcdhgte AT vlasenkozk kvantoviivihídmežzonnoívipromínûvalʹnoírekombínacíívkristalahcdhgte AT vlasenkoai quantumyieldofinterbandradiativerecombinationincdhgtecrystals AT vlasenkozk quantumyieldofinterbandradiativerecombinationincdhgtecrystals |