Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | Власенко, А.И., Власенко, З.К. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56291 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe / А.И. Власенко, З.К. Власенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 7-10. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
by: Завадский, В.А., et al.
Published: (2001)
by: Завадский, В.А., et al.
Published: (2001)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2001)
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2001)
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2002)
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2002)
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2001)
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2001)
Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
by: R. M. Balabai
Published: (2012)
by: R. M. Balabai
Published: (2012)
Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
by: Kosyachenko, L.A., et al.
Published: (2003)
by: Kosyachenko, L.A., et al.
Published: (2003)
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
by: A. B. Smirnov, et al.
Published: (2013)
by: A. B. Smirnov, et al.
Published: (2013)
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
by: O. B. Smirnov, et al.
Published: (2013)
by: O. B. Smirnov, et al.
Published: (2013)
Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
by: Балабай, Р.М.
Published: (2012)
by: Балабай, Р.М.
Published: (2012)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2004)
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2004)
Наноструктурування поверхні гетероепітаксіальної плівки CdHgTe методом йонної імплантації Ag⁺
by: Удовицька, Р.С.
Published: (2015)
by: Удовицька, Р.С.
Published: (2015)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
by: Вакив, Н.М.
Published: (2004)
by: Вакив, Н.М.
Published: (2004)
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
by: Абызов, А.С., et al.
Published: (2004)
by: Абызов, А.С., et al.
Published: (2004)
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
by: Орлов, В.Д., et al.
Published: (2001)
by: Орлов, В.Д., et al.
Published: (2001)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2004)
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2004)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2003)
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2003)
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2003)
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2003)
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
by: Ажажа, В.М., et al.
Published: (2002)
by: Ажажа, В.М., et al.
Published: (2002)
Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
by: Дмитриев, М.В.
Published: (2001)
by: Дмитриев, М.В.
Published: (2001)
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2003)
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2003)
Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
by: Балицкая, В.А., et al.
Published: (2002)
by: Балицкая, В.А., et al.
Published: (2002)
Токопроводящий клей на основе порошка меди
by: Каркина, Е.А., et al.
Published: (2001)
by: Каркина, Е.А., et al.
Published: (2001)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
by: Бончик, А.Ю., et al.
Published: (2005)
by: Бончик, А.Ю., et al.
Published: (2005)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
by: Марончук, И.Е., et al.
Published: (2003)
by: Марончук, И.Е., et al.
Published: (2003)
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2001)
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2001)
Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
by: A. B. Smirnov, et al.
Published: (2015)
by: A. B. Smirnov, et al.
Published: (2015)
Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
by: O. B. Smirnov, et al.
Published: (2015)
by: O. B. Smirnov, et al.
Published: (2015)
Nanostructurization of a Surface of a Heteroepitaxial CdHgTe Film by a Method of the Ion Implantation of Ag+
by: R. S. Udovytska
Published: (2015)
by: R. S. Udovytska
Published: (2015)
Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
by: Цибрий, З.Ф., et al.
Published: (2017)
by: Цибрий, З.Ф., et al.
Published: (2017)
Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов
by: Reva, V. P., et al.
Published: (2010)
by: Reva, V. P., et al.
Published: (2010)
Features of the technology of formation of metal contacts to discrete IR and THz radiation detectors based on CdHgTe epitaxial layers
by: Z. F. Tsybrii
Published: (2019)
by: Z. F. Tsybrii
Published: (2019)
Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
by: Цибрій, З.Ф.
Published: (2019)
by: Цибрій, З.Ф.
Published: (2019)
Влияние электронной структуры нанокластеров на квантовый выход фотоэмиссии магниевых сплавов
by: Ткаченко, В.Г., et al.
Published: (2004)
by: Ткаченко, В.Г., et al.
Published: (2004)
Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
by: Будянский, А.М., et al.
Published: (2001)
by: Будянский, А.М., et al.
Published: (2001)
Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
by: Дудник, С.Ф., et al.
Published: (2001)
by: Дудник, С.Ф., et al.
Published: (2001)
Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2004)
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2004)
Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
by: Дунаенко, А.Х., et al.
Published: (2003)
by: Дунаенко, А.Х., et al.
Published: (2003)
Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
by: Савицкий, Г.В., et al.
Published: (2002)
by: Савицкий, Г.В., et al.
Published: (2002)
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
Similar Items
-
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
by: Завадский, В.А., et al.
Published: (2001) -
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2001) -
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2002) -
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2001) -
Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
by: R. M. Balabai
Published: (2012)