Buchumschlag

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe

Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2004
Hauptverfasser:	Власенко, А.И., Власенко, З.К.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Schlagworte:	Материалы для микроэлектроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56291
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe / А.И. Власенко, З.К. Власенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 7-10. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
von: R. M. Balabai
Veröffentlicht: (2012)

Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
von: Kosyachenko, L.A., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
von: A. B. Smirnov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
von: O. B. Smirnov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
von: Балабай, Р.М.
Veröffentlicht: (2012)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Наноструктурування поверхні гетероепітаксіальної плівки CdHgTe методом йонної імплантації Ag⁺
von: Удовицька, Р.С.
Veröffentlicht: (2015)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2004)

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
von: Орлов, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Токопроводящий клей на основе порошка меди
von: Каркина, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
von: A. B. Smirnov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
von: O. B. Smirnov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Nanostructurization of a Surface of a Heteroepitaxial CdHgTe Film by a Method of the Ion Implantation of Ag+
von: R. S. Udovytska
Veröffentlicht: (2015)

Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
von: Цибрий, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов
von: Reva, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Features of the technology of formation of metal contacts to discrete IR and THz radiation detectors based on CdHgTe epitaxial layers
von: Z. F. Tsybrii
Veröffentlicht: (2019)

Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
von: Цибрій, З.Ф.
Veröffentlicht: (2019)

Влияние электронной структуры нанокластеров на квантовый выход фотоэмиссии магниевых сплавов
von: Ткаченко, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
von: Будянский, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
von: Дудник, С.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
von: Дунаенко, А.Х., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
von: Савицкий, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)