Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
Использование для двоичной записи информации 2-3-мерных элементов сигналограммы приводит к возможности повышения плотности записи информации в (2-4)N раз.
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | Демёхин, В.В., Данилов, В.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56292 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах / В.В. Демёхин, В.В. Данилов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 11-12. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
von: Demyohin, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Demyohin, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2004)
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2004)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
von: Боднарук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Боднарук, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Устройства на основе фотонных кристаллов
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2004)
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2004)
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001)
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001)
Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
von: Иващук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Иващук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
von: Осадчук, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Осадчук, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений
von: Ницович, Б.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ницович, Б.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Анизотропный термоэлектрический компаратор
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Двухспектральный фотоприемник
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
von: Ющук, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ющук, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
von: Попович, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Попович, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
von: Брайко, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Брайко, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
von: Емцев, П.А.
Veröffentlicht: (2003)
von: Емцев, П.А.
Veröffentlicht: (2003)
Микрочиповые лазеры
von: Матковский, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Матковский, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Оптическая запись микро- и наноразмерных рельефных структур на неорганических резистах Ge-Se
von: Индутный, И.З., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Индутный, И.З., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
von: Джафарова, Э.А.
Veröffentlicht: (2006)
von: Джафарова, Э.А.
Veröffentlicht: (2006)
Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
von: Курак, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Курак, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Мощный инвертор напряжения со специальной силовой микросхемой
von: Гаврилюк, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Гаврилюк, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Влияние циклического режима работы охлаждающего термоэлектрического устройства на его надежность
von: Зайков, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Зайков, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Исследование температурного поля накопителя на жестких магнитных дисках
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Влияние режимных параметров на теплопередающие характеристики миниатюрных тепловых труб
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Охлаждение перспективных накопителей на жестких магнитных дисках с применением тепловых труб
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Исследование теплопередающих характеристик радиаторов с оребрением на основе миниатюрных тепловых труб
von: Кравец, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Кравец, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Смесительно-детекторные и умножительные диоды для смесителей приемных устройств СВЧ
von: Бобженко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Бобженко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Ähnliche Einträge
-
Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
von: Demyohin, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
von: Кондрик, А.И.
Veröffentlicht: (2004) -
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)