Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
Использование для двоичной записи информации 2-3-мерных элементов сигналограммы приводит к возможности повышения плотности записи информации в (2-4)N раз.
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | Демёхин, В.В., Данилов, В.В. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56292 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах / В.В. Демёхин, В.В. Данилов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 11-12. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
by: Кондрик, А.И.
Published: (2004) -
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2005) -
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
by: Кутний, В.Е., et al.
Published: (2005) -
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2001) -
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2001)